SIZ926DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistor - FET MOSFET - Array

Produttore: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET® Gen IV
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET: Standard
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 40A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 41nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
Potenza - Max: 20.2W, 40W
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PowerPair® (6x5)
Numero di prodotto di base: SIZ926