SIZF920DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistor - FET MOSFET - Array

Produttore: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET® Gen IV
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Caratteristica FET: Standard
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V, 125nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V
Potenza - Max: 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PowerPair® (6x5)
Numero di prodotto di base: SIZF920