G20N06D52 Goford Semiconductor Transistor - FET MOSFET - Array

Produttore: Goford Semiconductor
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT)
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET: Standard
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 1220pF @ 30V
Potenza - Max: 45W (Ta)
Temperatura di esercizio: -55°C~175°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (4.9x5.75)