SIZF906DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistor - FET MOSFET - Array

Produttore: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET® Gen IV
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET: Standard
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Potenza - Max: 38W (Tc), 83W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PowerPair® (6x5)
Numero di prodotto di base: SIZF906