SIB912DK-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistor - FET MOSFET - Array

Produttore: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET: Logic Level Gate
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 95pF @ 10V
Potenza - Max: 3.1W
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: PowerPAK® SC-75-6L Dual
Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SC-75-6L Dual
Numero di prodotto di base: SIB912