SIZ200DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistor - FET MOSFET - Array

Produttore: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET® Gen IV
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET: Standard
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V, 30nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
Potenza - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PowerPair® (3.3x3.3)
Numero di prodotto di base: SIZ200