DMG1016UDWQ-7 Diodes Incorporated Transistor - FET MOSFET - Array

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: Automotive, AEC-Q101
Pacchetto: Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N and P-Channel Complementary
Caratteristica FET: Standard
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 1.066A (Ta), 845mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 736.6nC @ 4.5V, 0.62nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 60.67pF @ 10V, 59.76pF @ 16V
Potenza - Max: 330mW (Ta)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-363
Numero di prodotto di base: DMG1016