RJK0216DPA-00#J53 Renesas Electronics America Inc Transistor - FET MOSFET - Array

Produttore: Renesas Electronics America Inc
Serie: -
Pacchetto: Bulk
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 15A, 32A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 1130pF @ 10V
Potenza - Max: 10W, 20W
Temperatura di esercizio: 150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 8-WFDFN
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6)