SI5517DU-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistor - FET MOSFET - Array

Produttore: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N and P-Channel
Caratteristica FET: Logic Level Gate
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 520pF @ 10V
Potenza - Max: 8.3W
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: PowerPAK® ChipFET??Dual
Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® ChipFet Dual
Numero di prodotto di base: SI5517