IRFHM792TRPBF Infineon Technologies Transistor - FET MOSFET - Array

Produttore: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Last Time Buy
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET: Standard
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 251pF @ 25V
Potenza - Max: 2.3W
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Numero di prodotto di base: IRFHM792