DMN3016LDN-7 Diodes Incorporated Transistor - FET MOSFET - Array

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET: Logic Level Gate
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 7.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 1415pF @ 15V
Potenza - Max: 1.1W
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore: V-DFN3030-8 (Type J)
Numero di prodotto di base: DMN3016