DMN63D8LDW-13 Diodes Incorporated Transistor - FET MOSFET - Array

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET: Logic Level Gate
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 220mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 22pF @ 25V
Potenza - Max: 300mW
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-363
Numero di prodotto di base: DMN63