DMN3012LEG-13 Diodes Incorporated Transistor - FET MOSFET - Array

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET: Standard
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 10A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
Potenza - Max: 2.2W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 8-PowerLDFN
Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI3333-8 (Type D)
Numero di prodotto di base: DMN3012