DMT10H017LPD-13 Diodes Incorporated Transistor - FET MOSFET - Array

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: Automotive, AEC-Q101
Pacchetto: Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET: Standard
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 54.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 1986pF @ 50V
Potenza - Max: 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI5060-8
Numero di prodotto di base: DMT10