WAS530M12BM3 Wolfspeed, Inc. Transistor - FET MOSFET - Array

Produttore: Wolfspeed, Inc.
Serie: -
Pacchetto: Box
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET: Silicon Carbide (SiC)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 630A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.47mOhm @ 530A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 127mA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 1362nC @ 15V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 38900pF @ 800V
Potenza - Max: -
Temperatura di esercizio: -40°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Confezione / Custodia: Module
Pacchetto dispositivo fornitore: -