Produttore: NXP Semiconductors
Serie: -
Pacchetto: Bulk
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET: Logic Level Gate
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 320mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 50pF @ 10V
Temperatura di esercizio: 150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
