HTMN5130SSD-13 Diodes Incorporated Transistor - FET MOSFET - Array

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET: Standard
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 55V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 218.7pF @ 25V
Potenza - Max: 1.7W
Temperatura di esercizio: -55°C~175°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO
Numero di prodotto di base: HTMN5130