DMN3013LDG-13 Diodes Incorporated Transistor - FET MOSFET - Array

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET: Standard
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 9.5A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 4A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 600pF @ 15V
Potenza - Max: 2.16W (Ta)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 8-PowerLDFN
Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI3333-8 (Type D)
Numero di prodotto di base: DMN3013