SIS590DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistor - FET MOSFET - Array

Produttore: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N and P-Channel
Caratteristica FET: Standard
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 2.7A (Ta), 4A (Tc), 2.3A (Ta), 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 167mOhm @ 1.5A, 10V, 251mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: -
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: -
Potenza - Max: 2.5W (Ta), 17.9W (Tc), 2.6W (Ta), 23.1W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: PowerPAK® 1212-8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Dual