TSM110NB04LDCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Transistor - FET MOSFET - Array

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET: Standard
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 10A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 1269pF @ 20V
Potenza - Max: 2W (Ta), 48W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PDFN (5x6)
Numero di prodotto di base: TSM110