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SQJQ900E-T1_GE3 Vishay Siliconix Transistor - FET MOSFET - Array

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Produttore: Vishay Siliconix
Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET: Standard
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 5900pF @ 20V
Potenza - Max: 75W
Temperatura di esercizio: -55°C~175°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Numero di prodotto di base: SQJQ900

Datasheet

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