BSO615CGXUMA1 Infineon Technologies Transistor - FET MOSFET - Array

Produttore: Infineon Technologies
Serie: SIPMOS®
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N and P-Channel
Caratteristica FET: Logic Level Gate
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 3.1A (Ta), 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.1A, 10V, 300mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA, 2V @ 450µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5nC @ 10V, 20nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 380pF @ 25V, 460pF @ 25V
Potenza - Max: 2W (Ta)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-DSO-8
Numero di prodotto di base: BSO615