BSC112N06LDATMA1 Infineon Technologies Transistor - FET MOSFET - Array

Produttore: Infineon Technologies
Serie: OptiMOS??T2
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET: Logic Level Gate
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 4020pF @ 30V
Potenza - Max: 65W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~175°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-4
Numero di prodotto di base: BSC112