ZXMN3A04DN8TA Diodes Incorporated Transistor - FET MOSFET - Array

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET: Logic Level Gate
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 6.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 1890pF @ 15V
Potenza - Max: 1.81W
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO
Numero di prodotto di base: ZXMN3