PMDXB600UNEZ Nexperia USA Inc. Transistor - FET MOSFET - Array

Produttore: Nexperia USA Inc.
Serie: TrenchFET®
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET: Logic Level Gate
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 600mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 21.3pF @ 10V
Potenza - Max: 265mW
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 6-XFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1010B-6
Numero di prodotto di base: PMDXB600