GE17045EEA3 GE Aerospace Transistor - FET MOSFET - Array

Produttore: GE Aerospace
Serie: SiC Power
Pacchetto: Bulk
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Caratteristica FET: Silicon Carbide (SiC)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 1700V (1.7kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.45mOhm @ 425A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 160mA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 1207nC @ 18V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 29100pF @ 900V
Potenza - Max: 1250W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(Tc)
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Confezione / Custodia: Module
Pacchetto dispositivo fornitore: -