EPC2105 EPC Transistor - FET MOSFET - Array

Produttore: EPC
Serie: eGaN®
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET: GaNFET (Gallium Nitride)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 80V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 9.5A, 38A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
Potenza - Max: -
Temperatura di esercizio: -40°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: Die
Pacchetto dispositivo fornitore: Die