NTE2358 NTE Electronics, Inc Transistor - Bipolari (BJT) - Singolo pre-polarizzato

Produttore: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Pacchetto: Bag
Stato del prodotto: Active
Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100 mA
Tensione - Guasto Collettore-Emettitore (Max): 50 V
Resistore - Base (R1): 22 kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2): 22 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) a Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V
Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Taglio del collettore (max): 500nA
Frequenza - Transizione: 200 MHz
Potenza - Max: 300 mW
Tipo di montaggio: Through Hole
Confezione / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S