2SA1987-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Pacchetto: Bulk
Stato del prodotto: Active
Tipo di transistor: PNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 15 A
Tensione - Guasto Collettore-Emettitore (Max): 230 V
Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Corrente - Taglio del collettore (max): 5µA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) a Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Potenza - Max: 180 W
Frequenza - Transizione: 30MHz
Temperatura di esercizio: 150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Confezione / Custodia: TO-3PL
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P(L)
Numero di prodotto di base: 2SA1987