2N5195 NTE Electronics, Inc Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli

Produttore: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Pacchetto: Bag
Stato del prodotto: Active
Tipo di transistor: PNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 4 A
Tensione - Guasto Collettore-Emettitore (Max): 80 V
Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 1A, 4A
Corrente - Taglio del collettore (max): 1mA
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) a Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Potenza - Max: 40 W
Frequenza - Transizione: 2MHz
Temperatura di esercizio: 150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Confezione / Custodia: TO-225AA, TO-126-3
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-32-3