NJVMJD112G onsemi Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli

Produttore: onsemi
Serie: -
Pacchetto: Tube
Stato del prodotto: Active
Tipo di transistor: NPN - Darlington
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 2 A
Tensione - Guasto Collettore-Emettitore (Max): 100 V
Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Corrente - Taglio del collettore (max): 20µA
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) a Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Potenza - Max: 1.75 W
Frequenza - Transizione: 25MHz
Temperatura di esercizio: -65°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK
Numero di prodotto di base: NJVMJD112