BGR420H6327 Infineon Technologies Transistor - Bipolari (BJT) - RF

Produttore: Infineon Technologies
Serie: -
Pacchetto: Bulk
Stato del prodotto: Active
Tipo di transistor: NPN
Tensione - Guasto Collettore-Emettitore (Max): 13V
Frequenza - Transizione: -
Figura di rumore (dB tipo @ f): 1.5dB ~ 1.7dB @ 400MHz ~ 1.8GHz
Guadagno: 26dB
Potenza - Max: 120mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) a Ic, Vce: -
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 25mA
Temperatura di esercizio: -65°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: SC-82A, SOT-343
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT343-4-1