BF888H6327 Infineon Technologies Transistor - Bipolari (BJT) - RF

Produttore: Infineon Technologies
Serie: -
Pacchetto: Bulk
Stato del prodotto: Active
Tipo di transistor: NPN
Tensione - Guasto Collettore-Emettitore (Max): 4V
Frequenza - Transizione: 47GHz
Figura di rumore (dB tipo @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Guadagno: 27dB
Potenza - Max: 160mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) a Ic, Vce: 250 @ 25A, 3V
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 30mA
Temperatura di esercizio: 150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: SC-82A, SOT-343
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT343-4-2