2SC3585-T1B-A Renesas Electronics America Inc Transistor - Bipolari (BJT) - RF

Produttore: Renesas Electronics America Inc
Serie: -
Pacchetto: Bulk
Stato del prodotto: Obsolete
Tipo di transistor: NPN
Tensione - Guasto Collettore-Emettitore (Max): 10V
Frequenza - Transizione: 10GHz
Figura di rumore (dB tipo @ f): 1.8dB @ 2GHz
Guadagno: 9dB
Potenza - Max: 200mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) a Ic, Vce: 50 @ 10mA, 6V
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 35mA
Temperatura di esercizio: 150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT23-3 (TO-236)