NTE2634 NTE Electronics, Inc Transistor - Bipolari (BJT) - RF

Produttore: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Pacchetto: Bag
Stato del prodotto: Active
Tipo di transistor: PNP
Tensione - Guasto Collettore-Emettitore (Max): 95V
Frequenza - Transizione: 1.2GHz
Figura di rumore (dB tipo @ f): -
Guadagno: -
Potenza - Max: 3W
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) a Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 300mA
Temperatura di esercizio: 175°C(TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Confezione / Custodia: TO-225AA, TO-126-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-126