FFSH20120ADN-F085 onsemi Diodi singoli

Produttore: onsemi
Serie: -
Pacchetto: Tube
Stato del prodotto: Active
Tecnologia: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tensione - CC inversa (Vr) (Max): 1200 V
Corrente - Media Rettificata (Io): 15A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0 ns
Corrente - Dispersione inversa @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Capacità @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz
Grado: Automotive
Qualificazione: AEC-Q101
Tipo di montaggio: Through Hole
Confezione / Custodia: TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C
Numero di prodotto di base: FFSH20120