MPSH10 NTE Electronics, Inc Transistor - Bipolari (BJT) - RF

Produttore: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Pacchetto: Bag
Stato del prodotto: Active
Tipo di transistor: NPN
Tensione - Guasto Collettore-Emettitore (Max): 25V
Frequenza - Transizione: 650MHz
Figura di rumore (dB tipo @ f): -
Guadagno: -
Potenza - Max: 350mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) a Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Temperatura di esercizio: -65°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole