BFR949L3E6327 Infineon Technologies Transistor - Bipolari (BJT) - RF

Produttore: Infineon Technologies
Serie: -
Pacchetto: Bulk
Stato del prodotto: Active
Tipo di transistor: NPN
Tensione - Guasto Collettore-Emettitore (Max): 10V
Frequenza - Transizione: 9GHz
Figura di rumore (dB tipo @ f): 1dB ~ 2.5dB @ 1GHz
Guadagno: 21.5dB
Potenza - Max: 250mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) a Ic, Vce: 100 @ 5mA, 6V
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA
Temperatura di esercizio: 150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: SC-101, SOT-883
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSLP-3-1