BFP182WE6327 Infineon Technologies Transistor - Bipolari (BJT) - RF

Produttore: Infineon Technologies
Serie: -
Pacchetto: Bulk
Stato del prodotto: Active
Tipo di transistor: NPN
Tensione - Guasto Collettore-Emettitore (Max): 12V
Frequenza - Transizione: 8GHz
Figura di rumore (dB tipo @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Guadagno: 22dB
Potenza - Max: 250mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) a Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 35mA
Temperatura di esercizio: 150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: SC-82A, SOT-343
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT343-4