NTE319 NTE Electronics, Inc Transistor - Bipolari (BJT) - RF

Produttore: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Pacchetto: Bag
Stato del prodotto: Active
Tipo di transistor: NPN
Tensione - Guasto Collettore-Emettitore (Max): 20V
Frequenza - Transizione: -
Figura di rumore (dB tipo @ f): 2.7dB @ 45MHz
Guadagno: 29dB
Potenza - Max: 175mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) a Ic, Vce: 20 @ 2mA, 10V
Corrente - Collettore (Ic) (Max): -
Temperatura di esercizio: 175°C(TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Confezione / Custodia: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-72