NTE55 NTE Electronics, Inc Transistor - Bipolari (BJT) - RF

Produttore: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Pacchetto: Bag
Stato del prodotto: Active
Tipo di transistor: PNP
Tensione - Guasto Collettore-Emettitore (Max): 150V
Frequenza - Transizione: 30MHz
Figura di rumore (dB tipo @ f): -
Guadagno: -
Potenza - Max: 2W
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) a Ic, Vce: 40 @ 2A, 2V
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 8A
Temperatura di esercizio: -65°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Confezione / Custodia: TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220