NTE299 NTE Electronics, Inc Transistor - Bipolari (BJT) - RF

Produttore: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Pacchetto: Bag
Stato del prodotto: Active
Tipo di transistor: NPN
Tensione - Guasto Collettore-Emettitore (Max): 35V
Frequenza - Transizione: -
Figura di rumore (dB tipo @ f): -
Guadagno: -
Potenza - Max: 4W
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) a Ic, Vce: 10 @ 100mA, 10V
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 1A
Temperatura di esercizio: 125°C(TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Confezione / Custodia: TO-202 Long Tab
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-202