NTE107 NTE Electronics, Inc Transistor - Bipolari (BJT) - RF

Produttore: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Pacchetto: Bag
Stato del prodotto: Active
Tipo di transistor: NPN
Tensione - Guasto Collettore-Emettitore (Max): 12V
Frequenza - Transizione: 2.1GHz
Figura di rumore (dB tipo @ f): 6.5dB @ 60MHz
Guadagno: -
Potenza - Max: 200mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) a Ic, Vce: 20 @ 8mA, 10V
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 25mA
Temperatura di esercizio: 100°C(TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Confezione / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92