NTE313 NTE Electronics, Inc Transistor - Bipolari (BJT) - RF

Produttore: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Pacchetto: Bag
Stato del prodotto: Active
Tipo di transistor: NPN
Tensione - Guasto Collettore-Emettitore (Max): 30V
Frequenza - Transizione: 530MHz
Figura di rumore (dB tipo @ f): 2.5dB @ 200MHz
Guadagno: 23dB
Potenza - Max: 150mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) a Ic, Vce: 20 @ 2mA, 10V
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 20mA
Temperatura di esercizio: 150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 3-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore: 3-SMD