RN2506(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistor - Bipolari (BJT) - Array pre-polarizzati

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
Tensione - Guasto Collettore-Emettitore (Max): 50V
Resistore - Base (R1): 4.7kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2): 47kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) a Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Taglio del collettore (max): 100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione: 200MHz
Potenza - Max: 300mW
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: SC-74A, SOT-753
Pacchetto dispositivo fornitore: SMV
Numero di prodotto di base: RN2506