HBDM60V600X-7 Diodes Incorporated Transistor - Bipolari (BJT) - Array

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto: Active
Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP (H-Bridge)
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 600mA, 500mA
Tensione - Guasto Collettore-Emettitore (Max): 60V, 80V
Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 100mA, 500mV @ 50mA, 500mA
Corrente - Taglio del collettore (max): 100nA, 50nA
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) a Ic, Vce: 250 @ 10mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V
Potenza - Max: 200mW
Frequenza - Transizione: -
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-363