GT20N135SRA,S1E Toshiba Semiconductor and Storage IGBT singoli

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Pacchetto: Tube
Stato del prodotto: Active
Tipo IGBT: -
Tensione - Guasto Collettore-Emettitore (Max): 1350 V
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 40 A
Corrente - Collettore pulsato (Icm): 80 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Potenza - Max: 312 W
Commutazione dell'energia: -, 700µJ (off)
Tipo di input: Standard
Costo del biglietto d'ingresso: 185 nC
Td (acceso/spento) a 25°C: -
Condizione di prova: 300V, 40A, 39Ohm, 15V
Temperatura di esercizio: 175°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Confezione / Custodia: TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247