GT30J121(Q) Toshiba Semiconductor and Storage IGBT singoli

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Pacchetto: Tube
Stato del prodotto: Active
Tipo IGBT: -
Tensione - Guasto Collettore-Emettitore (Max): 600 V
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 30 A
Corrente - Collettore pulsato (Icm): 60 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A
Potenza - Max: 170 W
Commutazione dell'energia: 1mJ (on), 800µJ (off)
Tipo di input: Standard
Td (acceso/spento) a 25°C: 90ns/300ns
Condizione di prova: 300V, 30A, 24Ohm, 15V
Tipo di montaggio: Through Hole
Confezione / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P(N)
Numero di prodotto di base: GT30J121