IPD90P03P404ATMA2 Infineon Technologies Singoli FET MOSFET

Produttore: Infineon Technologies
Serie: OptiMOS®-P2
Confezione: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato della parte: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 137W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
Grado: Automotive
Qualificazione: AEC-Q101
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3-11
Confezione / Custodia: TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base: IPD90