BSP324H6327XTSA1 Infineon Technologies Singoli FET MOSFET

Produttore: Infineon Technologies
Serie: SIPMOS®
Confezione: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato della parte: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 400 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 170mA (Ta)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 170mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 154 pF @ 25 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT223-4
Confezione / Custodia: TO-261-4, TO-261AA
Numero di prodotto di base: BSP324